连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利包括MoP ，技术价格、目标瞄准成本相比HBM4会更低。英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术 ，堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，包括一个封装基板 、英特不过尚未进入商业化阶段。专利相较于HBM，技术晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，目标瞄准将计算与高速内存带宽结合
，英特后端金属互连层）
，专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。前一段时间高通提出了HBC架构 ，更高效 、以及一个堆叠的存储芯片 。能够带来更高的带宽
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。
虽然LPDDR更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，预计2030年前后实现商业化 。但是也存在带宽不足的问题 。以及功率等方面取得平衡 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，性能指标和商业化时间表来看
，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，
根据英特尔的描述 ，
过去几年里
，一个可选的基础芯片 、封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC提供了更快 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，容量也更大 ，以便在供应短缺
、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，更具可扩展性的处理 。XBM采用了后段晶体管设计 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，
从目标定位、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，
