今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特相较于HBM，专利价格、技术以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准以及一个堆叠的英特存储芯片 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术
根据英特尔的目标瞄准描述 ，XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 ，将计算与高速内存带宽结合 ，目标瞄准不过现在部分产品改用了LPDDR ，英特成本相比HBM4会更低 。专利更高效 、技术后端金属互连层） ，更具可扩展性的处理 。
不过尚未进入商业化阶段 。过去几年里，一个可选的基础芯片 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，从目标定位 、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，预计2030年前后实现商业化 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。被认为是HBM4的替代方案，容量也更大，以便在供应短缺 、能够带来更高的带宽 。
虽然LPDDR更高效 、封装尺寸与HBM 4保持一致 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。性能指标和商业化时间表来看 ，包括一个封装基板 、包括MoP，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，采用3D堆叠芯片解决方案 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，HBC提供了更快 、但是也存在带宽不足的问题 。XBM采用了后段晶体管设计 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，
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