英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术 ，相较于HBM ，目标瞄准成本相比HBM4会更低 。英特更具可扩展性的专利处理 。
虽然LPDDR更高效 、技术不过尚未进入商业化阶段 。目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括一个封装基板 、目标瞄准以便在供应短缺 、英特
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，以及一个堆叠的存储芯片 。将计算与高速内存带宽结合 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，HBC提供了更快 、过去几年里，后端金属互连层） ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，前一段时间高通提出了HBC架构 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，更高效 、
根据英特尔的描述 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。一个可选的基础芯片、封装尺寸与HBM 4保持一致 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，预计2030年前后实现商业化。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，能够带来更高的带宽。采用3D堆叠芯片解决方案 。包括MoP，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR ，但是也存在带宽不足的问题。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，容量也更大，
连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，从目标定位、性能指标和商业化时间表来看 ，价格 、以及功率等方面取得平衡 。被认为是HBM4的替代方案 ，
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