根据英特尔的描述 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，采用3D堆叠芯片解决方案。
从目标定位 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，将计算与高速内存带宽结合 ，过去几年里 ，但是也存在带宽不足的问题 。XBM采用了后段晶体管设计 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。不过尚未进入商业化阶段。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，
虽然LPDDR更高效 、一个可选的基础芯片 、成本相比HBM4会更低。更高效 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。以及功率等方面取得平衡 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。相较于HBM ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，包括MoP，被认为是HBM4的替代方案，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，包括一个封装基板 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，后端金属互连层） ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，
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